产品描述
设备名称：光谱椭偏仪
商品编号：T00518
制造商：大塚电子（Otsuka）
型号：FE-5000
设备尺寸(W × D × H):1,300 × 890 × 1,750mm:
设备重量:约350kg
光谱谱偏振FE-5000：产品信息：除了能够进行高精度薄膜分析的分光椭圆仪之外，还安装了测量角度的自动可变机构，可以应对所有种类的薄膜。除了传统的旋转检波器方法之外，还提供了相位差板的自动解吸机构，从而提高了测量精度。
特长：可在紫外可见(300~800 nm)波长范围内测量椭圆偏振参数，可分析纳米级多层薄膜的膜厚
400 ch以上的多通道光谱法的椭圆偏振光谱的迅速测量可能，反射角度可变测量，薄膜的详细分析对应，光学常数的数据库化和食谱登记功能的追加操作性提高。
測定項目：
椭圆偏振参数(tanψ，cosΔ)测量，光学常数(n：折射率，k：消光系数)分析，膜厚分析
測定対象：
1、半導体ウェーハ：ゲート酸化薄膜，窒化膜、SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe，BPSG，TiNレジストの光学定数(波長分散)
2.一种化合物半导体：AlxGa(1-x)As多层膜，非晶硅
3、FPD：TiO2，SiO2，反射防止膜
4、光刻领域：g线(436 Nm)、h线(405 Nm)、i线(365 Nm)等各波长的n、k评价
产品信息：将包含s波和p波的线性偏振光入射到样品中，并测量其反射光的椭圆偏振光。S波和p波的相位和振幅独立变化，从而获得p波和s波反射率的比值tanψ和相位差Δ，这是两种依赖于样品的偏振转换参数。Tanψ，consΔ被称为椭圆偏振参数，光谱偏振光谱测量这两个参数的波长相关光谱。
仕 様：
1、样品尺寸：最大200x200 mm
2、測定方式：回転検光子法
3、測定膜厚範囲(nd)：0.1nm～1μm
4、入射（反射）角度範囲(nd)：45～90°
5.入射(反射)角度驱动方式：自动正弦杆驱动方式
6.入射点直径：φ1.2sup
7、tanψ測定正確さ：±0.01以下
8、cosΔ測定正確さ：±0.01以下
9.膜厚的重复再现性：0.01%以下。
10、波長範囲：300～800nm
11.测量用光源：高稳定氙灯
12、舞台驱动方式：手动/自动
13.适用于装载机的：可
14、寸法、重量：1300（W)×890（D)×1750（H）mm、350kg
測定例：
1、使用倾斜模型的ITO的结构分析、液晶显示器等中使用的透明电极材料ITO(Indium-tin-oxide)，通过制膜后的退火处理(热处理)可以提高导电性和颜色。此时，氧状态和结晶性也会发生变化，但这种变化有时会相对于膜的厚度阶段性地倾斜变化，不能视为光学组成均匀的单层膜。对于这样的ITO，使用倾斜模型，从上部界面和下部界面的nk测量倾斜程度的事例。
2、考虑表面粗糙度的膜厚值测定：样品表面有粗糙度(Roughness)时，可以将表面粗糙度作为气氛(Air)和膜厚材料以比率1比1混合的“粗糙度层”进行模型化，分析粗糙度和膜厚。在这里，我们描述了一个测量SiN(氮化硅)的实例，表面粗糙度为几nm。
3、使用非干涉层模型测定密封后的有机EL材料：有机EL材料对氧气和水分较弱，通常在大气下会受到变质、损伤。因此，制膜后立即用玻璃密封。在密封状态下，通过玻璃测量膜厚的情况。玻璃和中间空气层使用非干涉层模型。
4、利用多点分析测量nk未知极薄膜：用最小二乘法拟合分析膜厚值(D)需要材料nk。如果nk未知，则将d和nk分析为可变参数。但是，在d为100 nm以下的极薄膜的情况下，不能分离d和nk，因此精度降低，有时不能求出正确的d。在这种情况下，测量多个不同的d样本，同时分析(多点分析)，假设nk是相同的。这使得精确地获得nk和精确的d成为可能。
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