真空蚀刻设备

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产品描述

规格参数
1、2室结构(蚀刻室+负载锁定室)
2、处理张数Φ3”一张基板/批处理
3、单晶圆传输
4、蚀刻速度300A/min以上
5、材料 SiO2

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