产品管理

全部
产品管理
新闻资讯
介绍内容
企业网点
常见问题
企业视频
企业图册

搜索

产品管理

全部
产品管理
新闻资讯
介绍内容
企业网点
常见问题
企业视频
企业图册

搜索

首页

硅片（晶圆）槽式自动清洗设备

新设备：硅片（晶圆）槽式自动清洗设备：制造商：SANEI中聚科芯，简介：硅片（晶圆）清洗设备介绍：研磨后清洗：去除研磨磨粒...

所属分类：

二手设备仪器

关键词：

半导体

联系我们

在线留言

产品描述

新设备：硅片（晶圆）槽式自动清洗设备：制造商：SANEI中聚科芯
简介：硅片（晶圆）清洗设备介绍：研磨后清洗：去除研磨磨粒（主要用碱+界面清洗）。碱性蚀刻清洗：以去除研磨后加工变形为目的。前热处理清洗：基本上是RCA清洗，但要看用户的线路配置。热处理后清洗：基本上是RCA清洗，但要看用户的线路配置。抛光后清洗设备：基本上是RCA清洗，（DHF/SC-1/SC-2/O3处理）
最终清洗：基本上是RCA清洗，（DHF/SC-1/SC-2/O3处理）。
设备规格：非常广泛的应用业绩，制造数量在4位数，可以给客户提供最佳清洗工艺方案。
处理片数：25片・50片两种工艺
搬运方式：盒式类型或无盒式类型
清洗方法：根据洗净槽的工艺决定
机器人：根据工艺流程确定数量。配备上/下、行走和夹头驱动。
LD＆ULD：兼容PFA・OPEN・FOSB・FOUP卡槽。8″晶圆间距为6.35mm。12″晶圆间距为10mm。规格根据应用和布局确定。
间距转换：在清洗12″晶圆的情况下，为了减少清洗槽的体积、将晶片间距转换为10mm～7mm或5mm。
干燥方式：从热水干燥、IR干燥和旋转干燥器中进行选择。
装置整体构造：框架・支架钢架焊接结构，经过耐腐蚀涂层后缠绕。FFU（清洗单元）安装在上部。
处理时间：1批（25片或者50片）5分（300sec）～6分（360sec）。
晶圆尺寸：φ200mm・φ300mm
晶圆材质：硅（碳化硅等化合物半导体需要另外讨论规格参数。）
处理槽及组成：根据生产线配置另外讨论规格参数
HEPA或ULPA：数量由配置决定
机器人：菲科半导体提供：垂直轴（AC伺服驱动）+行走轴（AC伺服驱动）+卡盘机构（气动）
药液：O₃・HF・NCW・KOH・NH₄OH・H₂O₂・HCL・EDTA・HCL・Citric Acid・DIW
药液温度：最高可对应100℃
药液槽：摆锤摆动・旋转・超声波
冲洗槽：鼓泡、QDR、电阻率计安装
LD＆ULD：离子发生器（可选）
干燥：热水提取・红外・旋转干燥・Marangoni
程序单元：纯水、氮气（用于空气传感器）、洁净空气、电源、真空（用于传输）
选配设备：臭氧发生设备
工艺性能规格：
粘附颗粒数：10颗/晶圆（大于0.15um）以下，但受用户整体设备影响。
金属污染：非保修项目
蚀刻均匀度：非保修项目
关于中聚科芯晶圆清洗设备竞争力：清洗设备的每个单元都是模块化定制，可实现规模化量产，降低客户的整体成本。工艺流程包括线锯后清洗、研磨后清洗、碱蚀清洗、DSP清洗、最终清洗。其中线锯后清洗、DSP清洗和最终清洗有长达30年以上制造经验。一般来说，晶圆清洗（最终清洗），如果φ300mm晶圆表面的颗粒多于10个，则被认为是NG（不良），粒径为0.1μm或更大。
特色：
高周转性：槽与槽之间搬运可实现在最短时间搬运和最短距离的控制系统兼容。
可维护性：考虑可维护性的零件布局。
设备设计：基于丰富实验数据的工艺优化设计。
丰富业绩经验：根据客户的需求提供最合适的定制设备。
对应工艺：线锯后清洗、研磨后清洗、碱性蚀刻清洗、热处理前清洗、热处理后清洗、抛光后清洗和最终清洗。