美国FEI扫描电子显微镜(SEM)Inspect S50

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产品描述

美国FEI公司的Inspect S50扫描电子显微镜(SEM)是一款高性能的低真空SEM平台,具有以下特点和规格
:

高分辨率能力:Inspect S50使用热发射电子光学,能够提供高分辨率的成像能力。

低真空设置:特别适合于非导电和重污染材料的检查和特性分析,同时最小化了样品准备的复杂性,实现了无电荷成像和分析。

高真空分辨率:显著的高真空分辨率增强了系统的灵活性,使其能够与多种样品类型和广泛的通量范围一起工作。

操作简便:直观、简便易用软件,即使电镜新手也能轻易上手。

分析能力:能够对导电和非导电样品进行准确的EDS和EBSD分析。

高亮度FEG:可选的束流减速模式,可以从导电样品中获得表面和组成信息。

技术规格:

电子光学:高性能电子光学镜筒,双阳极热发射电子枪,固定式物镜光阑,45°锥度物镜极靴,及“穿过透镜”的压差真空系统。
加速电压:200 V - 30 kV。
束流:最大2 μA并连续可调。
放大倍数:13 x – 1,000,000 x。
分辨率:
高真空下30 kV时,二次电子(SE)为3.0 nm,背散射电子(BSE)为4.0 nm。
低真空下30 kV时,SE为3.0 nm,BSE为4.0 nm。
3 kV时SE为8.0 nm(高真空),低真空下为10 nm。
检测器:包括E-T二次电子探头、大视场低真空气体二次电子探头(LFD)、高灵敏度、低电压固体背散射探头等。
安装要求:电源电压230 V,耗电量< 3.0 kVA,主机重量约450 kg

出售2011年款美国FEI牌工作状态高级电镜一台,原价250万RMB,现在打折卖。适用于半导体,高校,研究所,PCB等电子行业。
 
业务微信/热线:13360688780
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美国FEI扫描电子显微镜(SEM)Inspect S50
采用先进的样品室真空技术以及 FEI 的世界一流电子光学和样品生产量技术。 只要检验、表征、工艺控制和 失效分析至关重要,则 Inspect S50 和 Inspect F50 型显微镜的高分辨率成像必不可少。 直观的用户界面和 软件、直接通过工具栏即可访问的为记录和存储图像所需的所有功能 非常适合多用户 环境,同时全方位地操作可应用各种样品 杆的样品台给仪器带来了额外的使用价值和灵活性,满足对不同样品大小和应用的需求。
美国FEI扫描电子显微镜(SEM)Inspect S50的特点:
• 易用且直观的软件可确保初学者也能进行高效操作
• 轻松表征导电和绝缘样品(S50 型)
• 确保使用稳定的高电流 FEG (最高 200 nA)进行快速、准确的 EDS 和 EBSD 分析(F50 型)
• 使样品制备数量降至最低: 低真空可实现绝缘样品的非荷电成像和分析(S50 型)
• 大幅减少更改加速电压 (kV) 时对镜筒的调整。 所有调整均会依据用户选择的加速电压及/或照射点设置自动执行(F50 型)
• 确保在高真空和低真空条件下进行准确的导电和绝缘样品 EDS 和 EBSD 分析, 使用“经由透镜”抽气技术创造高真空和低真空环境(S50 型)
• 利用可选射束减速模式获取导电样品的表面和成分信息(F50 型)
美国FEI扫描电子显微镜(SEM)Inspect S50的技术规格:
  分辨率    加速电压 探针电流
nspect S  高真空
3.0nm/30kV (SE)
10nm/3kV (SE)
4.0nm/30kV (BSE)
低真空
3.0nm/30kV (SE)
4.0nm/30kV (BSE)
< 12nm/3kV (SE) 200V – 30kV 高达 2 μA,可持续调节
 Inspect F  高真空
0.8nm/30kV (STEM) *
1.2nm/30kV (SE)
2.5nm/30kV (BSE) *
3.0nm/1kV (SE) 200V – 30kV 高达 2 μA,可持续调节
 

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