发烧CVD设备

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产品描述

新设备:发烧CVD设备、制造商:日本制造商
概要:利用了通过化学反应堆积膜的方法CVD是装置。
装置结构:石英管用真空腔室、石英管、电炉/控制电源、真空计、排气系统
规格:可变温度范围:200℃~1000℃
石英管尺寸:φ80~200
供电电源:200 V
到达真空度:1×10-5 Pa以下
偏置电源:0~500 V
选购件:质量分析计、质量分析计用差动排气室

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