产品描述
设备名称:台式等离子蚀刻设备、制造商:日本制造商
从半导体故障分析用样品的预处理(布线曝光)到各种等离子体加工,可以进行局部等离子体加工,实现低残渣和高速加工,可以进行移动样品的广泛加工。
詳細仕様:
1、型式TP-50B装置寸法装置本体:
2、装置寸法、装置本体::240mm(W) × 390mm(D) × 350mm(H)、重量:20 kg
3、载物台规格:3轴载物台(Z轴手动、X、Y轴电动载物台)
4、装载样品:最大可装载尺寸:100 mm×100 mm×t10 mm
5、可用气体:N2、D.A、Ar(CF4,O2可选)
6、目标材料:有机膜、Si、SiO2、SiN、SiC(蚀刻需要CF4气体)
吸引等离子体的优点:将从等离子体产生喷嘴直接排出工艺气体的加工方法称为吸引等离子体。与传统的从等离子体产生喷嘴喷射工艺气体的加工方法相比,抽吸等离子体具有多种优点。
利点1.局部加工精度提高:在喷出等离子体的情况下,等离子体在试样表面扩散,加工范围变宽。但是,在吸引等离子体的情况下,由于等离子体只在喷嘴正下方产生,所以可以进行更局部的加工。
利点2.减少残余物:抽吸等离子体可以通过直接从等离子体产生喷嘴排出蚀刻反应产物来减少残留物的产生。
利点3.加工温度的降低
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