栅极绝缘膜立式炉

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产品描述

新设备:栅极绝缘膜立式炉、制造商:日本制造商
简介:可高温处理,非常适合SiC功率器件的制造。可以进行氧氮化处理。R&D~量产为止可使用的~Φ200 mm晶片对应的自动搬运搭载纵型炉。
特点:迷你批量、50片加工、R&D至量产生产线,~Φ200 mm,支持广泛的晶圆尺寸,炉内为本公司独有的无金属结构
可以连续处理各种氧化/氧氮化(Wet/Dry氧化、H2退火、NH3氮化、NO/N2O氧氮化)、腔室清洁机构(可选)
规格:迷你批量,可处理50片,适用于Φ75~Φ200 mm范围内的晶片尺寸。是精选硬件和控制系统内容的竖炉。炉内是本公司独有的无金属结构。可高温处理,非常适合功率器件制造。可以进行氧氮化处理。
使用温度範囲:700~1400℃
晶片尺寸(Mm):Φ75~Φ200
最大処理枚数:50枚
使用气体:N2,Ar,H2,NO,N2O,NH3
可选:N2加载锁,室清洁机制
処理:酸窒化、窒化、酸化

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