产品描述
新设备:欧姆接触用灯加热快速热处理装置、制造商:日本制造商
支持Si、GaN、SiC等各种晶片。支持真空负载锁定,提高吞吐量。
特点:在腔室及输送部标准搭载真空负载锁,实现高吞吐量,面向SiC及GaN晶片搭载基座自动更换功能上下都交叉设置卤素灯,通过6个区域控制可以简单地设定各自的功率比率,通过放射温度计以非接触的方式测定工件的温度,可以进行反馈控制。
规格:本装置是以多个卤素灯为热源,以短时间内高精度处理晶片退火为目的的生产用装置。
使用温度范围:400~1200℃
升温率:最大200℃c
渐变阵列:上下平面交叉阵列
控制区域数:6
晶片尺寸(mm)Φ150:※Φ支持200mm
晶片搬运:真空清洁机器人
处理:退火、氧化
处理品:Si、SiC晶片、GaN等
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