产品描述
新设备：转盘式量产立式炉；制造商：日本制造商简介：～Φ支持200mm，可进行超高温处理的大批量扩散·LPCVD立式炉。根据生产线灵活的装置构成对应多品种处理。EMS，面向功率设备丰富的出货实绩。
特点：配合生产线，可配置灵活的装置，搭载操作人员友好的高功能控制系统，5片批量+单片搬运机器人的高速晶片搬运，LGO加热器搭载，发挥从低温到中高温的优异温度特性，搭载硅化钼加热器的H型产品上线采用机密性高的腔室结构（H型）。
规格：～Φ对应200mm的晶片，配合50~150张处理能选择的生产线灵活对应的立式炉。通过分开使用LGO加热器、二硅化钼（MoSi2）加热器，不仅可应对氧化、扩散、LP-CVD，还可应对SiC功率器件的栅极氧氮化处理等超高温工艺。
型号：VF-5100、VF-5100H
本体尺寸（mm）：900（W）× 1850(D) × 2930(H)、1000(W) × 1950(D) × 3300(H)、900(W) × 1850(D) × 3150(H)
加热器：LGO加热器、二硅化钼加热器
均热长度（mm）：960500
晶片尺寸（mm）～Φ200 Φ200、～Φ200
一处理张数（※）：～Φ150:150张Φ200:100张：150张，～Φ150:100张Φ200:75张
使用温度：140～1150℃、700～1400℃
晶片搬运：5枚一揽子+枚叶
可选：N2负载锁、主机通信、强制冷却系统、支持薄晶片、各种尺寸的晶片兼用、舟皿旋转机构、N2负载锁、主机通信
处理：氧化、扩散、LP-CVD、各种退火、高温氧化、氮氧化
处理品：Si、GaAs、InP、GaN、Ga2O3其他Si、SiC晶片
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