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升华法单晶生长设备

所属分类：

二手设备仪器

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产品描述

新设备：升华法单晶生长设备；制造商：日本制造商
简介：在SiC散装培育方面拥有丰富经验的批量生产设备、来自1torr的微量压力控制。
概述：一种单晶生长方法，在真空或惰性气体中加热和升华原料，使其沉淀在种子晶体中。
特点：炉芯管采用冷却型双石英管，可承受超高温规格。最最高可在2700°C下使用、电脑控制可实现全自动控制、从1torr到大气压力的宽范围允许微量压力控制。兼容高真空、PC控制。
规格：
培养方法：升华法
目标晶体：2～8英寸、SiC单晶
加热方式：高频感应加热方式
加热温度：最高2500℃
压力控制：10～100torr±1torr
腔室：水冷双石英管
气氛：Ar・N2
真空排气装置：旋转泵、涡轮分子泵