产品描述
新设备:欧姆接触用灯加热快速热处理装置;制造商:日本制造商
简介:Si、GaN、SiC等各种晶片。支持N2负载锁定,提高吞吐量。
特点:标准配备真空室及N2负载锁定输送。实现高吞吐量。为SiC和GaN晶片搭载基座自动更换功能、上下都交叉设置卤素灯,通过6个区域控制可以简单地设定各自的功率比率,通过射温度计以非接触的方式测定工件的温度,可以进行反馈控制。
规格:本装置是以多个卤素灯为热源,在短时间内高精度处理晶片退火的生产用装置。
使用温度范围:400~1200℃
晶片尺寸(mm)Φ150:※Φ支持200mm
使用气体:N2、Ar、O2、H2
晶片搬运:支持N2负载锁定的洁净机器人
处理:接触退火、氧化(可在减压中处理、N2负载锁定环境中处理)
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