产品描述
新设备：硅片背面抛光；制造商：日本制造商
简介：材质：带图案的硅片
规格：4、5、6、8及12英寸晶片（可支持带凸块的晶片），可超薄加工（50μm以下）、厚度公差：2μm以下
特色：采用CMP装置，后磨砂抛光连贯加工，12英寸晶圆，50μ可以研磨到m以下的厚度，可以对应带凸点的晶片，可以对应As掺杂的晶片，也可以对应3英寸以下或不定形的晶片。
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