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转盘式量产立式炉

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二手设备仪器

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产品描述

新设备：转盘式量产立式炉、制造商：日本制造商
Si-IGBT用的数+µm厚晶片也能放心搬运的装置阵容。低温控制性优异，可对应背面电极退火、聚酰亚胺固化等。
特点：配合生产线，可配置灵活的装置，搭载操作人员友好的高功能控制系统，5片一揽子+单片搬运机器人高速晶片搬运，LGO加热器搭载，从低温到中高温发挥优异的温度特性，搭载双硅化钼加热器的H型产品上线
规格：～Φ对应200mm的晶片，配合50~150张处理能选择的生产线灵活对应的立式炉。通过分开使用LGO加热器、二硅化钼（MoSi2）加热器，还可应对高温扩散、背面电极退火、聚酰亚胺固化等工艺。
型号：VF-5100:VF-5100H
本体尺寸（mm）：900（W）× 1850(D) × 2930(H)、1000(W) × 1950(D) × 3300(H)、900(W) × 1850(D) × 3150(H)
加热器：LGO加热器、二硅化钼加热器
均热长度（mm）：960500
晶片尺寸（mm）：～Φ200、Φ200、～Φ200
使用温度：140～1150℃、700～1300℃
晶片搬运：5枚一揽子+枚叶
可选N2负载锁定，主机通信：强制冷却系统，支持薄晶片，各种尺寸的晶片兼用，舟皿旋转机构
处理：氧化、扩散、LP-CVD、各种退火、高温氧化、氮氧化
处理品：Si