产品描述
新设备：300mm大批量立式炉、制造商：日本制造商
简介：用于Si-IGBT的数+µ厚晶片也可以放心运送的装置上线。低温控制性优异，可以应对背面电极退火，聚亚氨基文档等。
特点：迷你批量，25-50张批量处理，灵活的处理能力，高速升温的高功率加热器，提高吞吐量，单片高速晶圆搬运，操作员友好的高功能控制系统
规格：Φ150 mm、Φ200 mm，为具有实际成果的Si-IGBT提供背面电极退火，也可提供Φ300 mm的聚亚胺基器件。
本体寸法(mm)：1100(W)×2000(D)×2950(H)
加热器：LGO加热器
均熱長(mm)：500
晶片尺寸(Mm)Φ300
一処理枚数|：50枚
I/O端口2晶片搬送：单张
选项N2负载锁定、强制冷却系统、5片批量+片(晶片搬送)均热长度750 mm(最大处理片数75片)、船旋转机构、主机通信
处理：氧化·扩散·LP-CVD处理、退火等
処理品：Si
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