产品描述
新设备:欧姆合金设备(高温型):日本制造商
简介:
1、适用于宽间隙半导体(GaN、SiC等)欧姆电极合金、退火
2、使用小型特殊高温炉
3、常用温度带800~1200℃(MAX1300℃)
4、面内温度分布4英寸晶圆面内±3℃(1200℃时)(0.5 mm厚碳盘上)
5、对应基板尺寸φ3-6英寸
6、晶片搬送单片式机器人搬送(支持25片盒式磁带)
7、处理气氛惰性气体中
8、标准装置尺寸1000(W)×1,750(D)×1,450(H)
9、装置重量约950kg
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