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超高品质大型锭生长

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二手设备仪器

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产品描述

新设备：超高品质大型锭生长设备：日本制造商
简介：新技术（NOC）可培育大型高质量Si晶体。该装置采用铸造生长法、乔克拉斯基生长法（CZ）法和千普鲁斯法的优点，是一种晶体生长装置，具有生长高质量硅晶体的功能。在硅熔体顶部形成低温区域，使用种子晶体连续拉起硅晶体，从而生长锭子。
特点：炉内结构，虽然是碳热区，但颗粒减少、与CZ炉相比，运行成本降低的节能结构、远程控制功能可以从单独的房间进行培训操作、易于密封的特殊机制
规格：
晶体尺寸：最大φ500 × H400（mm）
晶体重量：最大100kg
加热方式：使用双区碳加热器进行电阻加热
加热温度：最高1600℃、常用1550℃
炉内气氛：惰性气体引起的大气压力和减压气氛
如何取出坩埚：腔室底面升降下侧取出机构