产品描述
新设备:高温活化退火炉、制造商:日本制造商
简介:超高温处理是SiC功率器件制造的理想选择。可用于R&D~批量生产的75~200 mm晶片的自动搬运搭载立式炉。
特長:
迷你批量,50张处理,支持R&D至量产生产线
适用于75~200 mm范围内的晶片尺寸
炉内是我们自己的无金属结构
可以监控晶片附近的温度
标准配备N2加载锁
配备C到C运输,实现高吞吐量
支持H2气氛中的沟槽圆形退火
(可选)
规格:迷你批量,可处理50片,适用于Φ75~Φ200 mm范围内的晶片尺寸。是精选硬件和控制系统内容的竖炉。炉内是本公司独有的无金属结构。实验机(没有晶片搬送)也可以对应。它还支持激活退火的超高温工艺。
使用温度范围:700~1850℃(H2退火时~1800℃)
晶片尺寸(Mm):Φ75~Φ200
最大処理枚数:50枚
使用气体:N2,Ar,H2(可选)
处理:激活退火
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